STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 54 A 600 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

641,10 kr

(exkl. moms)

801,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 360 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 6021,37 kr641,10 kr
90 - 48019,936 kr598,08 kr
510 - 96019,425 kr582,75 kr
990 +18,954 kr568,62 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-6464
Tillv. art.nr:
STGW20NC60VD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

54A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

167W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

70ns

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.7V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.75mm

Bredd

5.15 mm

Standarder/godkännanden

JEDEC

Serie

SMPS

Höjd

20.15mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar