STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 54 A 600 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 168-6464
- Tillv. art.nr:
- STGW20NC60VD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
657,21 kr
(exkl. moms)
821,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 360 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | 21,907 kr | 657,21 kr |
| 90 - 480 | 20,436 kr | 613,08 kr |
| 510 - 960 | 19,914 kr | 597,42 kr |
| 990 + | 19,428 kr | 582,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-6464
- Tillv. art.nr:
- STGW20NC60VD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 54A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 70ns | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | SMPS | |
| Längd | 15.75mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 54A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 70ns | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie SMPS | ||
Längd 15.75mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 54 A 600 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 600 V 29 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 85 A 1600 V 331 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 78 A 1200 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 600 V 273 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 600 V 227 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål