STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

794,31 kr

(exkl. moms)

992,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 330 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3026,477 kr794,31 kr
60 +25,155 kr754,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7754
Tillv. art.nr:
STGW39NC60VD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.4V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

15.75 mm

Standarder/godkännanden

JEDEC JESD97

Längd

14.8mm

Höjd

20.15mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar