STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 829-7145
- Tillv. art.nr:
- STGWT80H65FB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 829-7145
- Tillv. art.nr:
- STGWT80H65FB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 120A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Kapseltyp | TO-3P | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 120A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Kapseltyp TO-3P | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 20 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 60 A 600 V, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål