STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 20 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 906-2795
- Tillv. art.nr:
- STGP10M65DF2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 906-2795
- Tillv. art.nr:
- STGP10M65DF2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström (Ic) | 20 A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning (Vceo) | 650 V | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal spänning för gate-emitter (VGEO) | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175 °C | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström (Ic) 20 A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning (Vceo) 650 V | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal spänning för gate-emitter (VGEO) 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175 °C | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 20 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1
- Infineon, IGBT, N Kanal, 62 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 18 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 34 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 10.8 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål