STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-3P Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 029,18 kr

(exkl. moms)

1 286,46 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3034,306 kr1 029,18 kr
60 - 12033,413 kr1 002,39 kr
150 +32,592 kr977,76 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-8686
Tillv. art.nr:
STGWT60H65DFB
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

375W

Kapseltyp

TO-3P

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

HB

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
KR

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed