STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 7 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

83,33 kr

(exkl. moms)

104,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 06 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2016,666 kr83,33 kr
25 - 4515,836 kr79,18 kr
50 - 12014,246 kr71,23 kr
125 - 24512,858 kr64,29 kr
250 +12,186 kr60,93 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
795-8981
Tillv. art.nr:
STGF6NC60HD
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

7A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

56W

Kapseltyp

TO-220FP

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.5V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

Powermesh

Standarder/godkännanden

JEDEC JESD97

Längd

10.4mm

Höjd

16.4mm

Bredd

4.6 mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar