Infineon, IGBT-modul, 100 A 1200 V, Modul Panel
- RS-artikelnummer:
- 273-7409
- Tillv. art.nr:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
2 324,85 kr
(exkl. moms)
2 906,06 kr
(inkl. moms)
Lägg till 1 enhet för att få fri frakt
I lager
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 2 324,85 kr |
| 5 - 9 | 2 278,30 kr |
| 10 - 99 | 2 113,33 kr |
| 100 - 249 | 1 936,70 kr |
| 250 + | 1 787,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7409
- Tillv. art.nr:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 355W | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Fästetyp | Panel | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.15V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 122mm | |
| Höjd | 20.5mm | |
| Standarder/godkännanden | EN61140, IEC61140 | |
| Bredd | 62 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 355W | ||
Kapseltyp Modul | ||
Fästetyp Panel | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 122mm | ||
Höjd 20.5mm | ||
Standarder/godkännanden EN61140, IEC61140 | ||
Bredd 62 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 75A continuous DC collector current. It has low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled high efficiency diode and NTC.
Thermal resistance
High power density
Compact module concept
Relaterade länkar
- Infineon Nej FS75R12KT3GBOSA1 100 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon Nej 28 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon Nej 240 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon Nej 20 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon Nej 295 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon Nej 200 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon Nej 107 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon Nej 75 A 1200 V, Modul Panel