Infineon, IGBT-modul, 650 A 150 V, 8 Ben, Modul Panel
- RS-artikelnummer:
- 273-7364
- Tillv. art.nr:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 fack med 15 enheter)*
7 778,40 kr
(exkl. moms)
9 723,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 15 - 90 | 518,56 kr | 7 778,40 kr |
| 105 + | 475,343 kr | 7 130,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7364
- Tillv. art.nr:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 650A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 150V | |
| Maximal effektförlust Pd | 335W | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Standarder/godkännanden | UL (E83335) | |
| Längd | 62.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 650A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 150V | ||
Maximal effektförlust Pd 335W | ||
Kapseltyp Modul | ||
Typ av fäste Panel | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 16.4mm | ||
Standarder/godkännanden UL (E83335) | ||
Längd 62.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 150 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.
Low VCEsat
Compact design
Rugged mounting
Low inductive design
Low Switching Losses