STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, NPN Kanal Enkel, 216 A 650 V, 9 Ben, ECOPACK 2 Yta

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

200,82 kr

(exkl. moms)

251,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9200,82 kr
10 - 49190,74 kr
50 - 99180,99 kr
100 - 149172,03 kr
150 +163,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
273-5094
Tillv. art.nr:
STGSB200M65DF2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

216A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

714W

Antal transistorer

2

Konfiguration

Enkel

Kapseltyp

ECOPACK

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

NPN

Antal ben

9

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.05V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.5mm

Längd

4mm

Standarder/godkännanden

UL1557

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Dice on direct bond copper (DBC) substrate

Relaterade länkar