STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, 30 A 650 V, H2PAK-2 Genomgående hål

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

21 925,00 kr

(exkl. moms)

27 406,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +21,925 kr21 925,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
248-4893
Tillv. art.nr:
STGH30H65DFB-2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

260W

Kapseltyp

H2PAK-2

Typ av fäste

Genomgående hål

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.55V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.7mm

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

STGH30H65DFB

Fordonsstandard

AEC-Q101

STMicroelectronics-produkt är en IGBT som utvecklats med en avancerad proprietär trench gate-fältstoppstruktur. Enheten är en del av den nya HB-serien av IGBT:er, som representerar en optimal kompromiss mellan lednings- och omkopplingsförlust för att maximera effektiviteten hos alla frekvensomvandlare. Dessutom resulterar den något positiva VCEsat-temperaturkoefficienten och mycket snäv parameterfördelning i säkrare parallelldrift.

AEC-Q101-godkänd

Höghastighetsomkopplingsserie

Säkrare parallellisering

Tight parameterfördelning

Låg värmeresistans

Mjuk och mycket snabb antiparallelldiod för återhämtning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.