STMicroelectronics, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 261-5072
- Tillv. art.nr:
- STGWA80H65DFBAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 261-5072
- Tillv. art.nr:
- STGWA80H65DFBAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 535W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 15V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | STGWA | |
| Bredd | 21 mm | |
| Längd | 15.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 535W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 15V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie STGWA | ||
Bredd 21 mm | ||
Längd 15.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
AEC-Q101 qualified
High-speed switching series
Maximum junction temperature TJ is 175 degree C
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Positive temperature VCE(sat) coefficient
Soft and very fast recovery antiparallel diode
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-modul, 80 A 650 V 20 ns, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, 87 A 650 V, 3 Ben, TO-247 LL 1 Genomgående hål