STMicroelectronics, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 261-5072
- Tillv. art.nr:
- STGWA80H65DFBAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
66,30 kr
(exkl. moms)
82,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 66,30 kr |
| 5 - 9 | 62,94 kr |
| 10 - 14 | 59,81 kr |
| 15 - 19 | 56,90 kr |
| 20 + | 53,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-5072
- Tillv. art.nr:
- STGWA80H65DFBAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 535W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 15V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 21 mm | |
| Längd | 15.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5mm | |
| Serie | STGWA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 535W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 15V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 21 mm | ||
Längd 15.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5mm | ||
Serie STGWA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
AEC-Q101 qualified
High-speed switching series
Maximum junction temperature TJ is 175 degree C
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Positive temperature VCE(sat) coefficient
Soft and very fast recovery antiparallel diode
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Nej 80 A 650 V TO-247
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej STGW60H65DFB Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej STGW40H65DFB Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej STGW40H65FB Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej 80 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej IKW75N65ET7XKSA1 80 A 650 V PG-TO-247