Infineon, IGBT Dubbel, 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Chassi

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

1 140,16 kr

(exkl. moms)

1 425,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 juli 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 41 140,16 kr
5 - 91 097,60 kr
10 - 491 055,15 kr
50 +1 034,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
260-8888
Tillv. art.nr:
FF50R12RT4HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

2

Maximal effektförlust Pd

285W

Kapseltyp

AG-34MM

Konfiguration

Dubbel

Typ av fäste

Chassi

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.25V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons dubbla IGBT-modul är en 34 mm 1200 V, 50 A snabb TRENCHSTOP IGBT4 och emitterstyrd 4-diod. VCEsat med positiv temperaturkoefficient, det är flexibilitet, optimal elektrisk prestanda och högsta tillförlitlighet.

Utökad drifttemperatur

Låga omkopplingsförluster

Låg VCEsat

Isolerad basplatta

Standardhus

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.