Infineon, IGBT Dubbel, 600 A 1200 V, AG-PRIME2 2 Chassi
- RS-artikelnummer:
- 260-8889
- Tillv. art.nr:
- FF600R12IE4BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 3 enheter)*
12 976,989 kr
(exkl. moms)
16 221,237 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 3 + | 4 325,663 kr | 12 976,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-8889
- Tillv. art.nr:
- FF600R12IE4BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 600A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.35kW | |
| Kapseltyp | AG-PRIME2 | |
| Konfiguration | Dubbel | |
| Typ av fäste | Chassi | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 600A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 2 | ||
Maximal effektförlust Pd 3.35kW | ||
Kapseltyp AG-PRIME2 | ||
Konfiguration Dubbel | ||
Typ av fäste Chassi | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and fast switching chip. High short circuit capability, self limiting short circuit current, VCEsat with positive temperature coefficient.
Extended operation temperature
High DC stability
High power density
Standardized housing
Relaterade länkar
- Infineon 600 A 1200 V, AG-PRIME2 2 Chassi
- Infineon 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Chassi
- Infineon 75 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
- Infineon 105 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
- Infineon 50 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
- Infineon 25 A 1200 V, AG-ECONO2C-311 Chassi
- Infineon 15 A 1200 V, AG-EASY1B-711 Chassi
- Infineon 50 A 1200 V, AG-ECONO2B-411 Chassi
