Infineon, IGBT Dubbel, 600 A 1200 V, AG-PRIME2 2 Chassi
- RS-artikelnummer:
- 260-8889
- Tillv. art.nr:
- FF600R12IE4BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 3 enheter)*
12 976,989 kr
(exkl. moms)
16 221,237 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 3 + | 4 325,663 kr | 12 976,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-8889
- Tillv. art.nr:
- FF600R12IE4BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 600A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.35kW | |
| Antal transistorer | 2 | |
| Konfiguration | Dubbel | |
| Kapseltyp | AG-PRIME2 | |
| Typ av fäste | Chassi | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 600A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.35kW | ||
Antal transistorer 2 | ||
Konfiguration Dubbel | ||
Kapseltyp AG-PRIME2 | ||
Typ av fäste Chassi | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A halvbrygga dubbel IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT4, emitterstyrd 4-diod, NTC och snabbväxlande chip. Hög kortslutningskapacitet, självbegränsande kortslutningsström, VCEsat med positiv temperaturkoefficient.
Utökad drifttemperatur
Hög DC-stabilitet
Hög effekttäthet
Standardiserat hölje
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT Dubbel, 600 A 1200 V, AG-PRIME2 2 Chassi
- Infineon, IGBT Dubbel, 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Chassi
- Infineon, IGBT Helbrygga, 50 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
- Infineon, IGBT Helbrygga, 105 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
- Infineon, IGBT Helbrygga, 75 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
- Infineon, IGBT 3-fas, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711 Chassi
- Infineon, IGBT 3-fas, 25 A 1200 V, AG-ECONO2C-311 Chassi
- Infineon, IGBT 3-fas, 35 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
