Infineon, IGBT Dubbel, 50 A 1.2 kV, AG-34MM 2 Chassi

Få en mängdrabatt

Lägg till 50 till för att spara 803,60 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 fack med 10 enheter)*

8 082,70 kr

(exkl. moms)

10 103,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 september 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per fack*
Besparing
10 - 40808,27 kr8 082,70 kr-
50 +792,198 kr7 921,98 kr803,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
260-8887
Tillv. art.nr:
FF50R12RT4HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1.2kV

Antal transistorer

2

Maximal effektförlust Pd

285W

Kapseltyp

AG-34MM

Konfiguration

Dubbel

Typ av fäste

Chassi

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.25V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons dubbla IGBT-modul är en 34 mm 1200 V, 50 A snabb TRENCHSTOP IGBT4 och emitterstyrd 4-diod. VCEsat med positiv temperaturkoefficient, det är flexibilitet, optimal elektrisk prestanda och högsta tillförlitlighet.

Utökad drifttemperatur

Låga omkopplingsförluster

Låg VCEsat

Isolerad basplatta

Standardhus

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.