Infineon, IGBT-modul, 200 A 1200 V, EconoPACKTM3 6
- RS-artikelnummer:
- 244-5404
- Tillv. art.nr:
- FS150R12KT3BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
1 913,41 kr
(exkl. moms)
2 391,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 1 913,41 kr |
| 2 - 2 | 1 875,10 kr |
| 3 + | 1 687,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-5404
- Tillv. art.nr:
- FS150R12KT3BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 200A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Maximal effektförlust Pd | 700W | |
| Kapseltyp | EconoPACKTM3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.15V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | FS150R12KT3 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 200A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 6 | ||
Maximal effektförlust Pd 700W | ||
Kapseltyp EconoPACKTM3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie FS150R12KT3 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.
Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-modul, 200 A 1200 V, EconoPACKTM3 6
- Infineon, IGBT-modul, 200 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 140 A 1200 V 6
- Infineon, IGBT-modul, 150 A 1200 V 6
- Infineon, IGBT-modul, 280 A 1200 V, EconoPACK 6
- Infineon, IGBT-modul, 100 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 75 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 295 A 1200 V, Modul Panel
