Infineon, IGBT-modul, 150 A 1200 V 6
- RS-artikelnummer:
- 244-5407
- Tillv. art.nr:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 10 enheter)*
11 604,54 kr
(exkl. moms)
14 505,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 20 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 10 + | 1 160,454 kr | 11 604,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-5407
- Tillv. art.nr:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 150A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 750W | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | FS | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 150A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 750W | ||
Antal transistorer 6 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie FS | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.35 nF