Infineon, IGBT-modul, 150 A 1200 V 6

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 10 enheter)*

14 822,84 kr

(exkl. moms)

18 528,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 10 enhet(er) levereras från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
10 +1 482,284 kr14 822,84 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-5407
Tillv. art.nr:
FS150R12KT4B11BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

150A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

6

Maximal effektförlust Pd

750W

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

FS

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.35 nF

Relaterade länkar