Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V, 23 Ben, Modul Chassi 7

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 10 enheter)*

6 503,44 kr

(exkl. moms)

8 129,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 10 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per fack*
10 +650,344 kr6 503,44 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
232-6706
Tillv. art.nr:
FP35R12N2T7B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

35A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

7

Maximal effektförlust Pd

20mW

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Chassi

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

23

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

107.5mm

Höjd

21.3mm

Bredd

45 mm

Serie

FP35R12N2T7_B11

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's EconoPIM 2, 35 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

Relaterade länkar