Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 35 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, ECONO2 Klämma

Se alla IGBT:er

Antal (1 låda med 10 enheter)*

8 255,30 kr

(exkl. moms)

10 319,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per låda*
10 +825,53 kr8 255,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-8795
Tillv. art.nr:
FP35R12KT4B11BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

35A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

210W

Kapseltyp

ECONO2

Typ av fäste

Klämma

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

23

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.25V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

17mm

Längd

107.5mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

IGBT-moduler, Infineon


Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.

IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.

Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar