Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V, 31 Ben, AG-EASY2B Genomgående hål 7

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

474,21 kr

(exkl. moms)

592,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 1474,21 kr
2 - 4450,35 kr
5 - 9431,42 kr
10 - 24412,50 kr
25 +384,16 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4800
Tillv. art.nr:
FP35R12W2T7B11BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

35A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

7

Kapseltyp

AG-EASY2B

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

31

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

16.4mm

Längd

56.7mm

Serie

FP35R12W2T7-B11

Fordonsstandard

Nej

The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 35 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Low VCEsat

TRENCHSTOP™ IGBT7

Overload operation up to 175°C

2.5 kV AC 1min insulation

Al2O3 substrate with low thermal resistance

High power density

Compact design

PressFIT contact technology

Relaterade länkar