Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 85 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

117,15 kr

(exkl. moms)

146,438 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 236 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 858,575 kr117,15 kr
10 - 1852,75 kr105,50 kr
20 - 4849,785 kr99,57 kr
50 - 9846,31 kr92,62 kr
100 +42,785 kr85,57 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6677
Tillv. art.nr:
IKZ50N65EH5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

85A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

273W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

4

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor and diode copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar