Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 588,62 kr

(exkl. moms)

1 985,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +52,954 kr1 588,62 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
284-988
Tillv. art.nr:
IKQ120N65EH7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

498W

Kapseltyp

PG-TO-247-3-PLUS-N

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

20.1mm

Standarder/godkännanden

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Höjd

5.1mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IGBT med avancerad effekthalvledare revolutionerar effektiviteten i olika tillämpningar med sina höghastighetsfunktioner och låg mättnadsspänning. Utformad med den välkända 650 V TRENCHSTOP IGBT7-tekniken, den utmärker sig i topologier med hård omkoppling, vilket gör den idealisk för industriella UPS-system, EV-laddningslösningar och strängomvandlare. Denna robusta komponent är kvalificerad enligt strikta industristandarder, vilket garanterar tillförlitlighet och lång livslängd i krävande miljöer.

Använder grindteknik för effektivitet

Minimerar växlingsförluster för prestanda

Konstruerad för tillförlitlighet vid hög luftfuktighet

Slät växlingsegenskaper för precision

Utformad för mångsidig användning av kraftelektronik

Kvalificerad för industriella tillämpningar enligt JEDEC

Stöder enhetens livslängd med termisk hantering

Ger simuleringskapacitet med PSpice-modeller

Relaterade länkar