Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 284-988
- Tillv. art.nr:
- IKQ120N65EH7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 30 enheter)*
1 588,62 kr
(exkl. moms)
1 985,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 52,954 kr | 1 588,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-988
- Tillv. art.nr:
- IKQ120N65EH7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 498W | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 20.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 498W | ||
Kapseltyp PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 20.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineons IGBT med avancerad effekthalvledare revolutionerar effektiviteten i olika tillämpningar med sina höghastighetsfunktioner och låg mättnadsspänning. Utformad med den välkända 650 V TRENCHSTOP IGBT7-tekniken, den utmärker sig i topologier med hård omkoppling, vilket gör den idealisk för industriella UPS-system, EV-laddningslösningar och strängomvandlare. Denna robusta komponent är kvalificerad enligt strikta industristandarder, vilket garanterar tillförlitlighet och lång livslängd i krävande miljöer.
Använder grindteknik för effektivitet
Minimerar växlingsförluster för prestanda
Konstruerad för tillförlitlighet vid hög luftfuktighet
Slät växlingsegenskaper för precision
Utformad för mångsidig användning av kraftelektronik
Kvalificerad för industriella tillämpningar enligt JEDEC
Stöder enhetens livslängd med termisk hantering
Ger simuleringskapacitet med PSpice-modeller
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 160 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-PLUS-N Genomgående hål
- Infineon, IGBT 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 83 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 40 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 50 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247