onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 093,07 kr

(exkl. moms)

2 616,33 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • Dessutom levereras 360 enhet(er) från den 02 mars 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +69,769 kr2 093,07 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-8787
Tillv. art.nr:
AFGY120T65SPD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

120A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

714W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

AFGY120T65SPD

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

The ON Semiconductor AFGY series is IGBT with soft fast recovery diode which offers very low conduction and switch losses for a high efficiency operation in various applications, rugged transient reliability and low EMI.

Tight parameter distribution

High input impedance

Short circuit ruggedness

Co−packed with soft fast recovery diode

Relaterade länkar