onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 214-8781
- Tillv. art.nr:
- AFGHL75T65SQ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 214-8781
- Tillv. art.nr:
- AFGHL75T65SQ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 75A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | Trench | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie Trench | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ON Semiconductor AFGHL-serien är IGBT som erbjuder optimal prestanda med både låga lednings- och omkopplingsförluster för högeffektiv drift i olika applikationer, vilket inte kräver specifikation för omvänd återställning.
Hög strömkapacitet
Snabbväxlande
Tight parameterfördelning
Relaterade länkar
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, Fältstopp dike IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi, IGBT, Typ P Kanal, 75 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247 AEC-Q101