STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247-4 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 212-2106
- Tillv. art.nr:
- STGW100H65FB2-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 513,35 kr
(exkl. moms)
1 891,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 540 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 50,445 kr | 1 513,35 kr |
| 120 - 480 | 45,848 kr | 1 375,44 kr |
| 510 - 990 | 44,675 kr | 1 340,25 kr |
| 1020 + | 43,557 kr | 1 306,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 212-2106
- Tillv. art.nr:
- STGW100H65FB2-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 145A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 441W | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 4 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 145A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 441W | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 4 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie STG | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represent an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast application.
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247-4 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål