onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

87,09 kr

(exkl. moms)

108,862 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
På grund av begränsningar i försörjningskedjan tilldelas lager allt eftersom det blir tillgängligt.
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +43,545 kr87,09 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
185-8642
Tillv. art.nr:
AFGB40T65SQDN
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

238W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, Pb-Free

Bredd

10.67 mm

Längd

9.65mm

Höjd

4.06mm

Energimärkning

22.3mJ

Fordonsstandard

AEC-Q101

Uppfyller ej RoHS

COO (ursprungsland):
CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A

Low VF soft recovery co-packaged diode

For automotive

Low conduction loss

Low noise and conduction loss

Applications

Automotive On Board Charge

Automotive DC/DC converter for HEV

End Products

EV/PHEV

Relaterade länkar