onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 185-8642
- Tillv. art.nr:
- AFGB40T65SQDN
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
87,09 kr
(exkl. moms)
108,862 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- Dessutom levereras 3 124 enhet(er) från den 29 maj 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 43,545 kr | 87,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 185-8642
- Tillv. art.nr:
- AFGB40T65SQDN
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 238W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Pb-Free | |
| Höjd | 4.06mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Energimärkning | 22.3mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 238W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Pb-Free | ||
Höjd 4.06mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Energimärkning 22.3mJ | ||
Uppfyller ej RoHS
- COO (ursprungsland):
- CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
Low VF soft recovery co-packaged diode
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV
Relaterade länkar
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, Fältstopp dike IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-263 Yta
- onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-3PF Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål