onsemi, IGBT, Typ P Kanal, 75 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
181-1864
Tillv. art.nr:
FGH75T65SQDNL4
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

375W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ P

Antal ben

4

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.43V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

Pb-Free, Halide Free

Serie

Field Stop IV

Fordonsstandard

Nej

Energimärkning

160mJ

COO (ursprungsland):
CN
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop IV Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. In addition, this new device is packaged in a TO−247−4L package that provides significant reduction in Eon Losses compared to standard TO−247−3L package. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

TJmax = 175°C

Improved Gate Control Lowers Switching Losses

Separate Emitter Drive Pin

TO-247-4L for Minimal Eon Losses

Optimized for High Speed Switching

These are Pb-Free Devices

Solar Inverter

Uninterruptible Power Inverter Supplies

Neutral Point Clamp Topology

Relaterade länkar