onsemi, IGBT, Typ P Kanal, 40 A 1200 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
178-4321
Tillv. art.nr:
FGH40T120SQDNL4
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

227W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ P

Antal ben

4

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.78V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

Field Stop

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on−state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology • TJmax = 175°C • Soft Fast Reverse Recovery Diode • Optimized for High Speed Switching • These are Pb−Free Devices

Applications

Solar inverter UPS Welding

Relaterade länkar