Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

246,62 kr

(exkl. moms)

308,275 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 549,324 kr246,62 kr
10 - 2042,896 kr214,48 kr
25 - 4539,94 kr199,70 kr
50 - 12036,982 kr184,91 kr
125 +34,54 kr172,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-4392
Tillv. art.nr:
IGW75N65H5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

198W

Antal transistorer

1

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC, RoHS

Bredd

16.13 mm

Längd

21.1mm

Serie

IGW75N65H5

Höjd

5.21mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 120 A.

Higher power density design

50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability

Mild positive temperature coefficient

Relaterade länkar

Recently viewed