Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- RS-artikelnummer:
- 218-4392
- Tillv. art.nr:
- IGW75N65H5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
246,62 kr
(exkl. moms)
308,275 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 49,324 kr | 246,62 kr |
| 10 - 20 | 42,896 kr | 214,48 kr |
| 25 - 45 | 39,94 kr | 199,70 kr |
| 50 - 120 | 36,982 kr | 184,91 kr |
| 125 + | 34,54 kr | 172,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-4392
- Tillv. art.nr:
- IGW75N65H5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 75A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 198W | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS | |
| Bredd | 16.13 mm | |
| Längd | 21.1mm | |
| Serie | IGW75N65H5 | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 198W | ||
Antal transistorer 1 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS | ||
Bredd 16.13 mm | ||
Längd 21.1mm | ||
Serie IGW75N65H5 | ||
Höjd 5.21mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 120 A.
Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient
Relaterade länkar
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon Nej Typ N Kanal 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej IKZ75N65EH5XKSA1 Typ N Kanal 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej IKW75N65EL5XKSA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej 75 A 650 V, PG-TO-247
- Infineon Nej IKW75N65SS5XKSA1 75 A 650 V, PG-TO-247
- Infineon Nej 75 A 650 V PG-TO-247
