IXYS, Enkel IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1200 V 70 ns, 4 Ben, SOT-227B Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 168-4763
- Tillv. art.nr:
- IXA70I1200NA
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 168-4763
- Tillv. art.nr:
- IXA70I1200NA
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Produkttyp | Enkel IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350W | |
| Kapseltyp | SOT-227B | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 4 | |
| Switchhastighet | 70ns | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747 | |
| Serie | Planar | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Produkttyp Enkel IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 350W | ||
Kapseltyp SOT-227B | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 4 | ||
Switchhastighet 70ns | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747 | ||
Serie Planar | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- US
IGBT-diskreter, IXYS XPT-serien
XPT™-serien av diskreta IGBT:er från IXYS har Extreme-light Punch-Through tunnskiveteknik, vilket resulterar i minskat värmemotstånd och lägre energiförluster. Dessa enheter ger snabba omkopplingstider med låg slutström och finns i en mängd olika industristandardiserade och egenutvecklade kapslingar.
Hög effekttäthet och låg VCE(sat)
Kvadratiska RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Areas) upp till nominell genomslagsspänning
Kortslutningsförmåga för 10usec
Temperaturkoefficient för positiv on-state-spänning
Valfria sampackade Sonic-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder
Internationella standard- och egenutvecklade högspänningspaket
Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- IXYS, Enkel IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1200 V 70 ns, 4 Ben, SOT-227B Genomgående hål
- IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 88 A 1200 V 70 ns, 4 Ben, SOT-227B Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 152 A 1200 V 50 kHz, 4 Ben, SOT-227B Yta
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 105 A 1200 V 50 kHz, 4 Ben, SOT-227B Yta
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 62 A 1200 V 50 kHz, 4 Ben, SOT-227B Yta
- IXYS, IGBT-modul, Typ N Kanal, 30 A 1700 V 95 ns, 4 Ben, SOT-227B Yta
- IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 58 A 1200 V 70 ns, 3 Ben, ISOPLUS247 Kretskort
- IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 78 A 1200 V 70 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål