STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 14 A 1200 V 15 ns, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 5 enheter)*

113,57 kr

(exkl. moms)

141,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 975 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 - 4522,714 kr113,57 kr
50 - 9521,594 kr107,97 kr
100 - 49519,98 kr99,90 kr
500 +18,39 kr91,95 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-940
Tillv. art.nr:
STGB3NC120HDT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

14A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

75W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

15ns

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

16mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.4 mm

Höjd

1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics IGBT visar en utmärkt avvägning mellan låga ledningsförluster och snabb växlingsprestanda. Den är utformad i Power MESH-teknik i kombination med en ultrasnabb diod för högspänning.

Tålighet mot höga spänningar

Snabb

Mycket mjuk ultrasnabb återhämtning, antiparallelldiod

Relaterade länkar