STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 14 A 1200 V 15 ns, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 151-940
- Tillv. art.nr:
- STGB3NC120HDT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
122,30 kr
(exkl. moms)
152,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 935 enhet(er) från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,46 kr | 122,30 kr |
| 50 - 245 | 21,526 kr | 107,63 kr |
| 250 - 495 | 19,22 kr | 96,10 kr |
| 500 + | 16,508 kr | 82,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-940
- Tillv. art.nr:
- STGB3NC120HDT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 14A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 15ns | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.8V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 14A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 15ns | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.8V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics IGBT visar en utmärkt avvägning mellan låga ledningsförluster och snabb växlingsprestanda. Den är utformad i Power MESH-teknik i kombination med en ultrasnabb diod för högspänning.
Tålighet mot höga spänningar
Snabb
Mycket mjuk ultrasnabb återhämtning, antiparallelldiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 14 A 1200 V 15 ns, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 5 A 1200 V 690 ns, 3 Ben, TO-252 Yta
- Starpower, IGBT, Typ N Kanal, 2400 A 1200 V 535 ns Panel
- Starpower, IGBT, Typ N Kanal, 1280 A 1200 V 338 ns Panel
- onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- IXYS, XPT IGBT, Typ N Kanal, 58 A 1200 V 70 ns, 3 Ben, ISOPLUS247 Kretskort
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 20 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 10 A 375 V 8 μs, 3 Ben, TO-263 Yta