STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 5 A 1200 V 690 ns, 3 Ben, TO-252 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

87,09 kr

(exkl. moms)

108,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • Dessutom levereras 6 890 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2017,418 kr87,09 kr
25 - 4516,548 kr82,74 kr
50 - 12014,91 kr74,55 kr
125 - 24513,412 kr67,06 kr
250 +12,716 kr63,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
877-2879
Tillv. art.nr:
STGD5NB120SZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

5A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

75W

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

690ns

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.4 mm

Serie

H

Längd

6.2mm

Standarder/godkännanden

JEDEC JESD97, ECOPACK

Höjd

2.2mm

Energimärkning

12.68mJ

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed