STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 14 A 1200 V 15 ns, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

14 369,00 kr

(exkl. moms)

17 961,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +14,369 kr14 369,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-939
Tillv. art.nr:
STGB3NC120HDT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

14A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

75W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

15ns

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.4 mm

Längd

16mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics IGBT visar en utmärkt avvägning mellan låga ledningsförluster och snabb växlingsprestanda. Den är utformad i Power MESH-teknik i kombination med en ultrasnabb diod för högspänning.

Tålighet mot höga spänningar

Snabb

Mycket mjuk ultrasnabb återhämtning, antiparallelldiod

Relaterade länkar