Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6214
- Tillv. art.nr:
- IRS2304STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
113,46 kr
(exkl. moms)
141,825 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 915 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 7,564 kr | 113,46 kr |
| 75 - 135 | 7,183 kr | 107,75 kr |
| 150 - 360 | 6,884 kr | 103,26 kr |
| 375 - 735 | 6,578 kr | 98,67 kr |
| 750 + | 6,13 kr | 91,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6214
- Tillv. art.nr:
- IRS2304STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 60ns | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 120ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4 mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 60ns | ||
Antal utgångar 2 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 120ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie IRS | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4 mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRS2304S is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high- and lowside referenced output channel. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver feature a high pulse current buffer stage.
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
Gate drive supply range from 5 V to 20 V
Undervoltage lockout for both channel