Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO-8
- RS-artikelnummer:
- 258-0606
- Tillv. art.nr:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
23,30 kr
(exkl. moms)
29,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 406 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 11,65 kr | 23,30 kr |
| 20 - 48 | 10,865 kr | 21,73 kr |
| 50 - 98 | 10,305 kr | 20,61 kr |
| 100 - 198 | 9,52 kr | 19,04 kr |
| 200 + | 8,85 kr | 17,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0606
- Tillv. art.nr:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | DSO-8 | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Stigtid | 100ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | 2ED21091S6F | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp DSO-8 | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Stigtid 100ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie 2ED21091S6F | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 650 V half-bridge high speed power MOSFET and IGBT gate driver with typical 0.29 source current, and 0.7 sink current in DSO-8 package. Based on Infineon SOI-technology, having excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. No parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up at all temperature and voltage conditions.
integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode, lower the BOM cost
Floating channel designed for bootstrap operation
Independent under voltage lockout for both channels
The dual function DT/SD input turns off both channels
Relaterade länkar
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO-8
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 290 mA, 14 Ben 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 14 Ben 25 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 500 mA, 8 Ben, DSO-8
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning, Drivare för allmän tillämpning, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 8 Ben 20 V, DSO
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning, Drivare för allmän tillämpning 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO