Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 20V, DSO-8
- RS-artikelnummer:
- 258-0606
- Tillv. art.nr:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
24,64 kr
(exkl. moms)
30,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 406 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 12,32 kr | 24,64 kr |
| 20 - 48 | 11,535 kr | 23,07 kr |
| 50 - 98 | 10,865 kr | 21,73 kr |
| 100 - 198 | 10,08 kr | 20,16 kr |
| 200 + | 9,41 kr | 18,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0606
- Tillv. art.nr:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | DSO-8 | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Stigtid | 100ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | 2ED21091S6F | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp DSO-8 | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Stigtid 100ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie 2ED21091S6F | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 650 V-halvbrygga höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-grinddrivare med typisk 0,29 källström och 0,7 sinkström i DSO-8-paket. Baserat på Infineon SOI-teknik, med utmärkt robusthet och brusimmunitet mot negativa transientspänningar på VS-stift. Inga parasitiska tyristorstrukturer finns i enheten, därför ingen parasitisk låsning vid alla temperatur- och spänningsförhållanden.
Integrerad ultrasnabb bootstrap-diod med låg resistans, sänker BOM-kostnaden
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Oberoende spärr vid underspänning för båda kanalerna
DT/SD-ingången med dubbla funktioner stänger av båda kanalerna
Relaterade länkar
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO-8
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 290 mA, 14 Ben 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 14 Ben 25 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 500 mA, 8 Ben, DSO-8
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning, Drivare för allmän tillämpning, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare 2, 290 mA, 8 Ben 25V, DSO
- Infineon Allmän användning, Drivare för allmän tillämpning 2, 290 mA, 8 Ben 25V, DSO
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning, Drivare för allmän tillämpning 2, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO