Infineon Gate-drivare, Gate-drivare, 35 A, 25 Ben 16V, IQFN

Denna grinddrivare är ett ytmonterat IQFN-paket som är utformat för att driva effekt-MOSFET:er i industriell kraftelektronik. Den fungerar över ett lågspänningsmatningsområde och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande drivström och utökad driftstemperaturkapacitet. Komponenten levereras i en kompakt formfaktor som är lämplig för kortlayouter med hög densitet.

• 35 A utgångsström för att driva högströms-MOSFET-transistorer
• 4,25 V till 16 V matningsområde möjliggör flexibla systemspänningar
• RoHS-överensstämmelse för anpassning till begränsade ämnen
• Fungerar från -40 °C till 125 °C för tuffa miljöer
• 25-stifts IQFN minskar kretskortsfotavtryck och routingkomplexitet

• Lämplig för grinddrivarsteg för motorväxelriktare
• Används med industriella strömomvandlingsmoduler
• Idealisk för MOSFET-drivenheter med halv och full brygga
• Kan användas för grindstyrning av strömförsörjning i switchläge
• Används för styrkretskort med hög strömstyrka

Enheten levereras i en IQFN-förpackning för ytmontering med 25 stift och en låg profil på 0,9 mm höjd.

Den stöder drift från -40 °C upp till en maximal temperatur på 125 °C, vilket möjliggör användning över ett brett miljöområde.

Matningen måste vara mellan minst 4,25 V och högst 16 V för att uppfylla specificerad prestanda.

Det 25-poliga antalet ger flera kontroll- och strömanslutningar för detaljerad MOSFET-gate-hantering och signalering.