Infineon MOSFET, Gate-drivare, 20 A, 25 Ben 16 V, PQFN
- RS-artikelnummer:
- 258-4041
- Tillv. art.nr:
- TDA21520AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 6000 enheter)*
87 972,00 kr
(exkl. moms)
109 968,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | 14,662 kr | 87 972,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-4041
- Tillv. art.nr:
- TDA21520AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 20A | |
| Antal ben | 25 | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Minsta matningsspänning | 4.25V | |
| Maximal matningsspänning | 16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Längd | 4mm | |
| Bredd | 5 mm | |
| Standarder/godkännanden | Lead free RoHS package | |
| Serie | TDA21520 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 20A | ||
Antal ben 25 | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Minsta matningsspänning 4.25V | ||
Maximal matningsspänning 16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 0.9mm | ||
Längd 4mm | ||
Bredd 5 mm | ||
Standarder/godkännanden Lead free RoHS package | ||
Serie TDA21520 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS power stage is integrated power-stage contains a low quiescent current synchronous buck gate-driver IC which is co-packed with control and synchronous MOSFETs along with an active diode structure that achieves low Vsd similar to a Schottky with very little reverse recovery charge. The package is optimized for PCB layout, heat transfer, driver/MOSFET control timing, and minimal switch node ringing when layout guidelines are followed. The paired gate driver and MOSFET combination enables higher efficiency at lower output voltages. The internal MOSFET sensing achieves superior current sense accuracy vs best-in-class controller-based Inductor DCR sense methods.
High-side MOSFET short detection and flag
Thermal shutdown
Cycle-by-cycle over current protection and fault flag
Auto-sleep and deep-sleep mode for power saving
Compatible with 3.3-V tristate PWM input
Accurate current reporting to improve system level performance
Current and temperature fault monitoring for a more robust system
