Infineon MOSFET, Gate-drivare, 20 A, 25 Ben 16V, PQFN
- RS-artikelnummer:
- 258-4041
- Tillv. art.nr:
- TDA21520AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 6000 enheter)*
93 540,00 kr
(exkl. moms)
116 940,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | 15,59 kr | 93 540,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-4041
- Tillv. art.nr:
- TDA21520AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 20A | |
| Antal ben | 25 | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Minsta matningsspänning | 4.25V | |
| Maximal matningsspänning | 16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead free RoHS package | |
| Längd | 4mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Serie | TDA21520 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 20A | ||
Antal ben 25 | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Minsta matningsspänning 4.25V | ||
Maximal matningsspänning 16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden Lead free RoHS package | ||
Längd 4mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Serie TDA21520 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons OptiMOS-effektsteg är ett integrerat effektsteg som innehåller en synkron Buck-gate-drivkrets med låg viloström som är förpackad med styr- och synkron MOSFET tillsammans med en aktiv diodstruktur som uppnår låg Vsd som liknar en Schottky med mycket liten omvänd återhämtningsladdning. Paketet är optimerat för kretskortslayout, värmeöverföring, drivare/MOSFET-styrning och minimal ringning av omkopplingsnoder när layoutriktlinjer följs. Den parade grinddrivaren och MOSFET-kombinationen möjliggör högre effektivitet vid lägre utgångsspänningar. Den interna MOSFET-avkänningen uppnår överlägsen strömavkänningsnoggrannhet jämfört med klassens bästa styrenhetsbaserade induktor DCR-avkänningsmetoder.
Kortslutningsdetektering och flagga för MOSFET på höga sidan
Termisk avstängning
Cykel-för-cykel-överströmskydd och felflagg
Automatiskt viloläge och djupviloläge för strömbesparing
Kompatibel med 3,3 V tristate PWM-ingång
Noggrann strömrapportering för att förbättra prestandan på systemnivå
Övervakning av ström- och temperaturfel för ett mer robust system
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 20 A, 25 Ben 16 V, PQFN
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 56 Ben 625 V, PQFN
- Infineon MOSFET, MOSFET, 50 A 16 V, PQFN
- Infineon MOSFET, MOSFET, 60 A 16 V, PQFN
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 1, 80 A, 27 Ben 225 V, PQFN
- Infineon Halvbrygga, Gate-drivare, 80 A, 27 Ben 20 V, PQFN
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare, 35 A, 25 Ben 16 V, IQFN
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 3 A, 16 Ben 25 V, DSO-16