Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 1.8 A, 8 Ben 600V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 258-4009
- Tillv. art.nr:
- IRS2181STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
18 922,50 kr
(exkl. moms)
23 652,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 7,569 kr | 18 922,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-4009
- Tillv. art.nr:
- IRS2181STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 1.8A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 20ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Stigtid | 60ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Serie | IRS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 1.8A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 20ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Stigtid 60ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Serie IRS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons hög- och lågsidedrivare är högspännings-, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med oberoende referensutgångskanaler för hög och låg sida. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren. Den flytande kanalen kan användas för att driva en N-kanals effekt-MOSFET eller IGBT i högkonfigurationen som fungerar upp till 600 V.
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Fullt fungerande i +600 V
Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun
Gate-drivningens strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V
Underspänningslåsning för båda kanalerna
Matchande propagationsfördröjning för båda kanalerna
Logik- och kraftjordning +/- 5 V offset
Lägre di/dt grinddrivrutin för bättre bullerimmunitet
Relaterade länkar
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 1.8 A, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 420 mA 600 V, SOIC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 600 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 2 A, 16 Ben 20 V, SOIC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 420 mA, 16 Ben 20V, SOIC-16
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 360 mA, 8 Ben 20V, SOIC-8
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 2 A, 16 Ben 20V, SOIC-16
- Infineon, Gate-drivarmodul, 1.8 A 20 V, SOIC