Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 1.8 A, 8 Ben 600 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 258-4009
- Tillv. art.nr:
- IRS2181STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
18 922,50 kr
(exkl. moms)
23 652,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 7,569 kr | 18 922,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-4009
- Tillv. art.nr:
- IRS2181STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 1.8A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 20ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Stigtid | 60ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 600V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Serie | IRS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 1.8A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 20ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Stigtid 60ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 600V | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Serie IRS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon high and low side driver are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 V to 20 V
Under voltage lockout for both channels
Matched propagation delay for both channels
Logic and power ground +/- 5 V offset
Lower di/dt gate driver for better noise immunity