Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 2 A, 16 Ben 20V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 258-4004
- Tillv. art.nr:
- IRS2113STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
14 112,00 kr
(exkl. moms)
17 640,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 14,112 kr | 14 112,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-4004
- Tillv. art.nr:
- IRS2113STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 2A | |
| Antal ben | 16 | |
| Falltid | 17ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Stigtid | 25ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Serie | IRS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 2A | ||
Antal ben 16 | ||
Falltid 17ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Stigtid 25ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Serie IRS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivrutiner med oberoende refererade utgångskanaler på hög sida och låg sida. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logiska ingångar är kompatibla med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, ned till 3,3 V-logik. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren. Utbredningsfördröjningar är matchade för att förenkla användningen i högfrekvenstillämpningar. Den flytande kanalen kan användas för att driva en N-kanals effekt-MOSFET eller IGBT i högsidekonfigurationen som arbetar upp till 500 V eller 600 V.
Gate-drivningens strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V
Underspänningslåsning för båda kanalerna
3,3 V-logikkompatibel
Separat logiskt matningsområde från 3,3 V till 20 V
Logik- och strömjord ± 5 V offset
CMOS Schmitt-utlösda ingångar med pull-down
Kantutlösd avstängningslogik cykel för cykel
Matchande propagationsfördröjning för båda kanalerna
Utgångar i fas med ingångar
Relaterade länkar
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 2 A, 16 Ben 20 V, SOIC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 420 mA, 16 Ben 20V, SOIC-16
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 2 A, 16 Ben 20V, SOIC-16
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 420 mA 600 V, SOIC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 600 A, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 1.8 A, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 360 mA, 8 Ben 20V, SOIC-8
- Infineon Hög sida, Gate-drivare, 2.5 A, 16 Ben 20 V, SOIC