Infineon, Gate-drivarmodul, 1.8 A 20 V, SOIC

Se alla Gate-drivare

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

21 852,50 kr

(exkl. moms)

27 315,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +8,741 kr21 852,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-4007
Tillv. art.nr:
IRS21814STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivarmodul

Utström

1.8A

Kapseltyp

SOIC

Falltid

35ns

Antal utgångar

2

Stigtid

40ns

Minsta matningsspänning

10V

Maximal matningsspänning

20V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Serie

IRS

Fordonsstandard

Nej

Infineons högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivrutiner med oberoende refererade utgångskanaler på hög sida och låg sida. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivrutinerna har ett högt pulsströmsbuffersteg som är utformat för minimal drivrutins tvärgående ledning. Den flytande kanalen kan användas för att driva en N-kanals effekt-MOSFET eller IGBT i högkonfigurationen som fungerar upp till 600 V.

Gate-drivningens strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V

Underspänningslåsning för båda kanalerna

Kompatibel med 3,3 V och 5 V ingångslogik

Matchande propagationsfördröjning för båda kanalerna

Logik- och kraftjordning +/- 5 V offset

Lägre di/dt grinddrivrutin för bättre bullerimmunitet

Utgångskälla/sänkströmsförmåga 1,4 A/1,8 A

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar