Infineon Gate-drivare, Grinddrivare, IC, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC

RS-artikelnummer:: 258-4000
Tillv. art.nr:: IRS2005STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Gate-drivare, Grinddrivare, IC, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

8 332,50 kr

(exkl. moms)

10 415,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 19 juli 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	3,333 kr	8 332,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 258-4000
Tillv. art.nr:: IRS2005STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	Grinddrivare, IC
	Utström	600mA
	Antal ben	8
	Falltid	30ns
	Kapseltyp	SOIC
	Typ av drivsteg	Gate-drivare
	Stigtid	170ns
	Minsta matningsspänning	10V
	Maximal matningsspänning	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	125°C
	Serie	IRS
	Standarder/godkännanden	RoHS Compliant
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp Grinddrivare, IC
	Utström 600mA
	Antal ben 8
	Falltid 30ns
	Kapseltyp SOIC
	Typ av drivsteg Gate-drivare
	Stigtid 170ns
	Minsta matningsspänning 10V
	Maximal matningsspänning 20V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 125°C
	Serie IRS
	Standarder/godkännanden RoHS Compliant
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRS2005STRPBF

Infineon IRS-serien Gate Driver IC, 0,60 A utgångsström, SOIC-paket - IRS2005STRPBF

Denna gate-drivkrets IC ger gate-drivkrets för effekt-MOSFET och liknande omkopplingsenheter i en lågspänningsmatningsmiljö. Den drivs med en matningsspänning på 10 V till 20 V och är avsedd för industriella tillämpningar som kräver ett kompakt 8-stifts SOIC-paket och utökad omgivningstemperaturkapacitet.

Funktioner och fördelar:

• 0,60 A utgångsström ger tillförlitlig MOSFET-grindomkopplingsprestanda
• Minsta strömförsörjning på 10 V möjliggör drift från vanliga skenor
• 20 V maximal matningstolererar högre gate-drivningsspänningar för bredare användning
• 170 ns stigtid med stöd för kontrollerad påslagning för att minska överskjutning
• Falltid på 30 ns möjliggör snabb avstängning för effektiv omkoppling

Användningsområden

• Används med effekt-MOSFET:er i industriella omvandlare
• Lämplig för lågspänningsgrindsteg för motordrivning
• Idealisk för omkopplingssteg i strömförsörjningsmoduler
• Kan användas för grindstyrning vid DC/DC-omvandling

Vilket paket och antal stift ska jag förvänta mig för kretskortslayout?

Enheten levereras i en 8-stifts SOIC som passar standardhålmonteringsmönster och kompakta ytmonteringslayouter.

Vilka omgivningstemperaturer tål den under drift?

Den är klassad för drift i ett intervall från -40 °C upp till 125 °C för att passa krävande termiska miljöer.

Hur påverkar omkopplingsbeteendet systemdesignen?

Den specificerade stigtiden på 170 ns och falltiden på 30 ns påverkar grindladdningstider och omkopplingsförluster, vilket informerar val av dämpare och grindmotstånd.

Är denna del lämplig för fordonskvalificering?

Det är inte specificerat som en komponent av fordonskvalitet och bör utvärderas därefter för fordonstillämpningar.