AEC-Q100 Infineon Allmän användning, Drivare för allmän tillämpning, 290 mA, 8 Ben 20 V, DSO
- RS-artikelnummer:
- 236-3630
- Tillv. art.nr:
- 2ED2101S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
11 235,00 kr
(exkl. moms)
14 045,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,494 kr | 11 235,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3630
- Tillv. art.nr:
- 2ED2101S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Drivare för allmän tillämpning | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Typ av drivsteg | Allmän användning | |
| Stigtid | 170ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | 2ED | |
| Fästetyp | Styrelsen | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Drivare för allmän tillämpning | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp DSO | ||
Typ av drivsteg Allmän användning | ||
Stigtid 170ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Serie 2ED | ||
Fästetyp Styrelsen | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It provides excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages. With no parasitic Thyristor structures present in the device, no parasitic latch up can occur over all temperature and voltage conditions.
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode
Floating channel designed for bootstrap operation
Independent under voltage lockout for both channels
50% lower level-shift losses
Relaterade länkar
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning 290 mA DSO
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning 290 mA DSO
- Infineon Allmän användning 290 mA DSO
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning 20 A DSO
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning 2.5 A DSO
- AEC-Q100 Infineon Allmän användning 20 A DSO
- AEC-Q100 onsemi Allmän användning 4 A SOIC
- AEC-Q100 onsemi Allmän användning 4 A SOIC
