Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 600 mA, 8 Ben 20 V, SOIC-8
- RS-artikelnummer:
- 257-5586
- Tillv. art.nr:
- IRS2108SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 95 enheter)*
873,43 kr
(exkl. moms)
1 091,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 610 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 95 + | 9,194 kr | 873,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5586
- Tillv. art.nr:
- IRS2108SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 600mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC-8 | |
| Falltid | 35ns | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 600mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC-8 | ||
Falltid 35ns | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons halvbryggare är högspännings-, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivrutiner med beroende hög- och låg-side-refererade utgångskanaler. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren. Den flytande kanalen kan användas för att driva en N-kanals effekt-MOSFET eller IGBT i högkonfigurationen som fungerar upp till 600 V.
Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun
Gate-drivningens strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V
Underspänningslåsning för båda kanalerna
33 V, 5 V och 15 V logisk ingång kompatibel
Logik för att förhindra korskoppling
Matchande propagationsfördröjning för båda kanalerna
High-side-utgång i fas med HIN-ingång
Utgång på låg sida utomfas med LIN-ingång
Logik- och kraftjordning +/- 5 V offset
Relaterade länkar
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 600 mA, 8 Ben 20 V, SOIC-8
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 600 mA, 8 Ben 200 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 600 mA, 14 Ben 20 V, SOIC-14
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 270 mA, 8 Ben 25 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare, 600 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 350 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 500 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 180 mA, 8 Ben 15.6 V, SOIC