Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 600 mA, 14 Ben 20 V, SOIC-14

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
257-5590
Tillv. art.nr:
IRS21094SPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivarmodul

Utström

600mA

Antal ben

14

Kapseltyp

SOIC-14

Falltid

35ns

Typ av drivsteg

Gate-drivare

Stigtid

100ns

Minsta matningsspänning

10V

Maximal matningsspänning

20V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons halvbryggare är högspännings-, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivrutiner med beroende hög- och låg-side-refererade utgångskanaler. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren. Den flytande kanalen kan användas för att driva en N-kanals effekt-MOSFET eller IGBT i högkonfigurationen som arbetar upp till 600 V.

Flytande grinddrivare utformad för bootstrap-drift

Fullt fungerande i +600 V

Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun

Gate-drivningens strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V

Underspänningslåsning för båda kanalerna

33 V, 5 V och 15 V logisk ingång kompatibel

Logik för att förhindra korskoppling

Matchande propagationsfördröjning för båda kanalerna

High-side-utgång i fas med HIN-ingång

Logik- och kraftjordning +/- 5 V offset

Programmerbar upp till 5 μs med ett externt motstånd

Lägre di/dt grinddrivrutin för bättre bullerimmunitet

Avstängningsingång stänger av båda kanalerna

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.