Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC

Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*

16 962,50 kr

(exkl. moms)

21 202,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,785 kr16 962,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6193
Tillv. art.nr:
IRS2118STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

290mA

Antal ben

8

Falltid

65ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

MOSFET

Antal utgångar

5

Stigtid

75ns

Minsta matningsspänning

20V

Maximal matningsspänning

20V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Bredd

4mm

Höjd

1.75mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Serie

IRS

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon IRS2118 är högspännings-, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare. Proprietär HVIC- och spärrimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolithisk konstruktion. Logisk ingång är kompatibel med standard CMOS-utgångar. Utgångsdrivaren har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korskoppling. Den flytande kanalen kan användas för att driva en N-kanals effekt-MOSFET eller IGBT i hög-sidig eller låg-sidig konfiguration som arbetar upp till 600 V.

Gate-driven strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V

Spärr vid underspänning

CMOS Schmitt-utlösda ingångar med pull-down

Utgång i fas med ingång

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.