Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6194
- Tillv. art.nr:
- IRS2118STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
69,33 kr
(exkl. moms)
86,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 310 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,933 kr | 69,33 kr |
| 50 - 90 | 6,597 kr | 65,97 kr |
| 100 - 240 | 6,306 kr | 63,06 kr |
| 250 - 490 | 6,026 kr | 60,26 kr |
| 500 + | 5,622 kr | 56,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6194
- Tillv. art.nr:
- IRS2118STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 65ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Antal utgångar | 5 | |
| Stigtid | 75ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4mm | |
| Serie | IRS | |
| Längd | 5mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 65ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Antal utgångar 5 | ||
Stigtid 75ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4mm | ||
Serie IRS | ||
Längd 5mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IRS2118 är högspännings-, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare. Proprietär HVIC- och spärrimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolithisk konstruktion. Logisk ingång är kompatibel med standard CMOS-utgångar. Utgångsdrivaren har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korskoppling. Den flytande kanalen kan användas för att driva en N-kanals effekt-MOSFET eller IGBT i hög-sidig eller låg-sidig konfiguration som arbetar upp till 600 V.
Gate-driven strömförsörjningsområde från 10 V till 20 V
Spärr vid underspänning
CMOS Schmitt-utlösda ingångar med pull-down
Utgång i fas med ingång
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 14 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 290 mA, 8 Ben 20V, DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 250 mA, 8 Ben 20V, SOIC-8
- Infineon MOSFET, MOSFET, 200 mA, 8 Ben 20V, SOIC