Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 2.5 A, 8 Ben 25 V, DSO
- RS-artikelnummer:
- 226-6029
- Tillv. art.nr:
- 2ED2182S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
132,50 kr
(exkl. moms)
165,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,25 kr | 132,50 kr |
| 50 - 90 | 12,589 kr | 125,89 kr |
| 100 - 240 | 12,051 kr | 120,51 kr |
| 250 - 490 | 11,536 kr | 115,36 kr |
| 500 + | 10,741 kr | 107,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6029
- Tillv. art.nr:
- 2ED2182S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 2.5A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 30ns | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 15ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | 2ED2182 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.72mm | |
| Längd | 4.9mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 2.5A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 30ns | ||
Kapseltyp DSO | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 15ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie 2ED2182 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.72mm | ||
Längd 4.9mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 2ED2182S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It is based on SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages of up to - 11 Von VS pin on transient voltage. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.
Floating channel designed for bootstrap operation
Operating voltages (VS node) upto + 650 V
Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 2.5 A, 8 Ben 25 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 2.5 A, 14 Ben 25 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 2.5 A, 14 Ben 25 V, DSO-14
- Infineon, Gate-drivare 1, 2.5 A, 8 Ben 24 V, DSO-8
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 2.5 A 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 290 mA, 14 Ben 25 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gatedrivning med halvbrygga 2, 2.5 A, 14 Ben 25 V, DSO-14
- Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 360 mA, 8 Ben 600 V, DSO