Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 2, 2.5 A, 14 Ben 25V, DSO
- RS-artikelnummer:
- 226-6026
- Tillv. art.nr:
- 2ED21824S06JXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
31 445,00 kr
(exkl. moms)
39 305,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 12,578 kr | 31 445,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6026
- Tillv. art.nr:
- 2ED21824S06JXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gatedrivning med halvbrygga | |
| Utström | 2.5A | |
| Antal ben | 14 | |
| Falltid | 30ns | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 15ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 25V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 8.65mm | |
| Serie | 2ED21824S06J | |
| Höjd | 1.72mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gatedrivning med halvbrygga | ||
Utström 2.5A | ||
Antal ben 14 | ||
Falltid 30ns | ||
Kapseltyp DSO | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 15ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 25V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 8.65mm | ||
Serie 2ED21824S06J | ||
Höjd 1.72mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 2ED21824S06F är en högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med oberoende referensutgångskanaler för hög och låg sida. Den är baserad på SOI-teknik där det finns en utmärkt robusthet och brusimmunitet med möjlighet att bibehålla driftslogik vid negativa spänningar på upp till - 11 Von VS-stift på transientspänning. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren.
Flytande kanal utformad för bootstrap-drift
Driftspänningar (VS-nod) upp till + 650 V
Maximal bootstrap-spänning (VB-nod) på + 675 V
Integrerad ultrasnabb bootstrap-diod med lågt motstånd
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 2, 2.5 A, 14 Ben 25V, DSO
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 1, 8 Ben 20V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gatedrivning med halvbrygga 2, 2.5 A, 14 Ben 25 V, DSO-14
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 2, 8 Ben 40V, TO-263
- Infineon Låg sida, Gatedrivning med halvbrygga 1, 3.3 A, 8 Ben 25V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 2.5 A, 8 Ben 25V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gatedrivning med halvbrygga 1, 200 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon, Gatedrivning med halvbrygga 1, 8 A, 5 Ben 20V, SOT-23
