Infineon Gate-drivare, Gate-drivare 2, 2.5 A, 14 Ben 25 V, DSO
- RS-artikelnummer:
- 258-0613
- Tillv. art.nr:
- 2ED2184S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
35,73 kr
(exkl. moms)
44,662 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 106 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 17,865 kr | 35,73 kr |
| 20 - 48 | 15,175 kr | 30,35 kr |
| 50 - 98 | 14,11 kr | 28,22 kr |
| 100 - 198 | 13,16 kr | 26,32 kr |
| 200 + | 12,15 kr | 24,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0613
- Tillv. art.nr:
- 2ED2184S06FXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 2.5A | |
| Antal ben | 14 | |
| Falltid | 15ns | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Stigtid | 600ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | 2ED2184 (4) S06F (J) | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 2.5A | ||
Antal ben 14 | ||
Falltid 15ns | ||
Kapseltyp DSO | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Stigtid 600ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie 2ED2184 (4) S06F (J) | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 650 V half-bridge high current, and high speed gate driver for MOSFET and IGBT, with typical 2.5 A sink and source current in DSO-8 package. Based on Infineon SOI-technology, having excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. No parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up at all temperature and voltage conditions.
Negative VS transient immunity of 100 V
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode, lower the BOM cost
Floating channel designed for bootstrap operation
Integrated shoot-through protection with built-in dead time (400 ns)
Maximum supply voltage of 25 V
50% lower level-shift losses