Infineon MOSFET, MOSFET 1, 8 A, 6 Ben 20 V, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 222-4763
- Tillv. art.nr:
- 1EDN7511BXUSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
61,26 kr
(exkl. moms)
76,575 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 8 055 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 4,084 kr | 61,26 kr |
| 75 - 135 | 3,883 kr | 58,25 kr |
| 150 - 360 | 3,801 kr | 57,02 kr |
| 375 - 735 | 3,554 kr | 53,31 kr |
| 750 + | 3,271 kr | 49,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4763
- Tillv. art.nr:
- 1EDN7511BXUSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 8A | |
| Antal ben | 6 | |
| Falltid | 4.5ns | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 6.5ns | |
| Minsta matningsspänning | 4.2V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | 1EDN7511B | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 1.45mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 8A | ||
Antal ben 6 | ||
Falltid 4.5ns | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 6.5ns | ||
Minsta matningsspänning 4.2V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie 1EDN7511B | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 1.45mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 1-kanaliga MOSFET-grinddrivkretsar är den avgörande länken mellan styrkretsar och kraftfulla MOSFET- och GaN-switchande enheter. Gate-drivkretsar möjliggör hög effektivitet på systemnivå, utmärkt effekttäthet och konsekvent systemrobusthet.
10 V robusthet av kontroll- och aktiveringsingångar ger avgörande säkerhetsmarginal vid styrning av pulsomvandlare
Robust omvänd utgångsström på 5 A eliminerar behovet av Schottky-omkopplingsdioder vid styrning av MOSFET-enheter i TO-220- och TO-247-kapslar
Cool drivkretsar tack vare äkta rail-to-rail-utgångssteg med låg impedans
4 V och 8 V UVLO-alternativ (Under Voltage Lock Out) för omedelbart MOSFET-skydd under start och under onormala förhållanden
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 8 A, 6 Ben 20 V, SOT-23
- Infineon MOSFET, MOSFET, 8 A, 4 Ben 20 V, SOT-23-6
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 8 A, 23 Ben 20 V, SOT-23
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 2.6 A, 6 Ben 25 V, SOT-23
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 240 mA, 6 Ben 18 V, SOT-23
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 5 A, 6 Ben 20 V, SOT-23
- Texas Instruments MOSFET, MOSFET 1, 8 A, 6 Ben 18 V, SOT-23
- Texas Instruments MOSFET, MOSFET 2, 3 A, 6 Ben 8 V, SOT-23