Infineon, Gatedrivning med halvbrygga 1, 8 A, 5 Ben 20V, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 217-7148
- Tillv. art.nr:
- 1EDN7512BXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
8 388,00 kr
(exkl. moms)
10 485,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 2,796 kr | 8 388,00 kr |
| 6000 + | 2,726 kr | 8 178,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-7148
- Tillv. art.nr:
- 1EDN7512BXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gatedrivning med halvbrygga | |
| Utström | 8A | |
| Antal ben | 5 | |
| Falltid | 4.5ns | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Stigtid | 6.5ns | |
| Minsta matningsspänning | 4.5V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Serie | 1EDN751x | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.45mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gatedrivning med halvbrygga | ||
Utström 8A | ||
Antal ben 5 | ||
Falltid 4.5ns | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Stigtid 6.5ns | ||
Minsta matningsspänning 4.5V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Serie 1EDN751x | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.45mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 1-kanaliga MOSFET-grinddrivkretsar är den avgörande länken mellan styrkretsar och kraftfulla MOSFET- och GaN-switchande enheter. Gate-drivkretsar möjliggör hög effektivitet på systemnivå, utmärkt effekttäthet och konsekvent systemrobusthet.
Mycket effektiv SMPS möjliggörs av 5 ns korta slew-hastigheter och ±5 ns propagationsfördröjningsprecision för snabb MOSFET- och GaN-omkoppling
Separata käll- och sinkutgångar förenklar applikationsdesignen
Industristandardpaket och stiftuttag underlättar systemdesignuppgraderingar
Relaterade länkar
- Infineon, Gatedrivning med halvbrygga 1, 8 A, 5 Ben 20V, SOT-23
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 1, 8 Ben 20V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gatedrivning med halvbrygga 1, 200 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 2, 8 Ben 40V, TO-263
- Infineon Låg sida, Gatedrivning med halvbrygga 1, 3.3 A, 8 Ben 25V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 8 A, 23 Ben 20V, SOT-23
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 2, 2.5 A, 14 Ben 25V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gatedrivning med halvbrygga 2, 2.5 A, 14 Ben 25 V, DSO-14
