Infineon, Gatedrivning med halvbrygga 1, 8 A, 5 Ben 20 V, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 217-7148
- Tillv. art.nr:
- 1EDN7512BXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
7 914,00 kr
(exkl. moms)
9 894,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 2,638 kr | 7 914,00 kr |
| 6000 + | 2,572 kr | 7 716,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-7148
- Tillv. art.nr:
- 1EDN7512BXTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gatedrivning med halvbrygga | |
| Utström | 8A | |
| Antal ben | 5 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Falltid | 4.5ns | |
| Stigtid | 6.5ns | |
| Minsta matningsspänning | 4.5V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 1.45mm | |
| Serie | 1EDN751x | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gatedrivning med halvbrygga | ||
Utström 8A | ||
Antal ben 5 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Falltid 4.5ns | ||
Stigtid 6.5ns | ||
Minsta matningsspänning 4.5V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 1.45mm | ||
Serie 1EDN751x | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 1-channel MOSFET gate driver ICs are the crucial link between control ICs and powerful MOSFET and GaN switching devices. Gate driver ICs enable high system level efficiencies, excellent power density and consistent system robustness.
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns short slew rates and ±5ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
Separate source and sink outputs simplify the application design
Industry standard packages and pinout ease system design upgrades
Relaterade länkar
- Infineon, Gatedrivning med halvbrygga 1, 8 A, 5 Ben 20 V, SOT-23
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 1, 8 Ben 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gatedrivning med halvbrygga 1, 200 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 2, 8 Ben 40 V, TO-263
- Infineon Låg sida, Gatedrivning med halvbrygga 1, 3.3 A, 8 Ben 25 V, SOIC
- Infineon Gate-drivare, Gatedrivning med halvbrygga 2, 2.5 A, 14 Ben 25 V, DSO-14
- Infineon MOSFET, Gatedrivning med halvbrygga 2, 2.5 A, 14 Ben 25 V, DSO
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 8 A, 23 Ben 20 V, SOT-23